硅化钽

基础技术参数

- 化学式:TaSi_2

- CAS号:12039-79-1

- 外观:灰黑色粉末

- 熔点:2200℃

- 密度:9.14 g/cm³

- 纯度:高纯多种规格

- 粒径:微米级、超细粉体,可定制目数

- 特性:低电阻率、导电性能优异;高温抗氧化、耐酸碱腐蚀;热膨胀系数与硅匹配性良好;热稳定性强

产品核心优势

高温抗氧化性能优异,高温下形成自修复氧化保护层,延缓基体持续氧化

粉体粒度分布均匀,烧结活性良好,适配热喷涂、真空烧结、磁控溅射制靶

严格管控氧、铁、重金属杂质,物相纯净,满足半导体、航空高端用料标准

供货方案灵活,支持小样测试、长期批量稳定供货,可提供COA质检报告

主要应用领域

1. 半导体微电子行业

集成电路栅极材料、欧姆接触层、互联导线、扩散阻挡层;MEMS微纳器件导电薄膜原料,有效降低器件接触电阻。

2. 航空航天高温防护

飞行器、发动机零部件耐高温抗氧化涂层、热防护复合材料增强相。

3. 高温电热元件与结构件

高温电阻发热元件、耐腐蚀耐高温金属陶瓷、特种高温工况结构部件。

4. 靶材与功能薄膜

溅射靶材前驱粉体,沉积导电、耐磨、抗氧化功能薄膜。

5. 前沿新材料科研

3D打印高温粉体、热电材料、纳米薄膜材料实验室研发原料。

包装与储存

包装:真空铝箔密封袋、防潮塑料桶封装;常规1kg、5kg、25kg,包装规格可定制。

储存:存放阴凉干燥库房,密封隔绝空气;远离强氧化剂,防潮防氧化。


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