一、基础理化参数

产品名称：五正丁氧基钽 / 正丁醇钽(V)

英文名称：Tantalum(V) n-Butoxide

CAS号：51094-78-1

线性分子式：Ta(OCH₂CH₂CH₂CH₃)₅

分子式：C₂₀H₄₅O₅Ta

分子量：546.52

外观：无色至淡黄色透明液体

密度：1.31 g/mL（25℃）

折射率：1.483（20℃）

沸点：217℃（0.15mmHg真空）

闪点：36℃

溶解性：溶于甲苯、乙醇、异丙醇等无水有机溶剂；遇水剧烈水解

纯度规格：高纯

核心特性：挥发温度适中、热分解彻底、薄膜纯度高、金属元素分布均匀、低杂质无碳残留

二、产品核心优势

1. 超高纯度，适配先进晶圆制程

金属杂质（碱金属、重金属、锆铌）严格管控至ppm级，5N高纯级专供存储芯片、逻辑芯片ALD镀膜，薄膜漏电低、介电性能稳定。

2. 挥发与热稳定性均衡

真空下挥发平缓，热分解温度区间宽，无提前裂解堵管，适配ALD镀膜源瓶持续供气，薄膜厚度均匀一致性强。

3. 水解可控，溶胶凝胶工艺友好

无水体系稳定可控，可精准调控水解速率，制备纳米氧化钽粉体、钽酸锂、钽酸钠光电薄膜。

4. 全程无水无氧生产分装

合成、精馏、灌装全流程惰性氮气保护，杜绝水汽污染；配套钢瓶鼓泡源瓶、避光密封金属瓶两种包装。

5. 全套技术资料配套

可提供COA成分检测、MSDS安全说明书、热重TG数据、出口英文单证；支持科研小样+工业批量供货。

6. 钽系材料一站式配套

配套钽粉、碳化钽、氮化钽、钽靶材、其他烷氧基金属源（乙醇钽、异丙醇钽）同步供应。

三、核心应用领域

1. 半导体ALD/CVD氧化钽高K介质层（主力用途）

闪存、DRAM存储芯片栅介质、电容绝缘层、芯片阻挡层薄膜前驱，薄膜致密绝缘、耐击穿、漏电流小，适配14nm及以下先进制程。

2. 光电与光学涂层

溶胶-凝胶制备氧化钽增透膜、高折射率光学薄膜、红外防护涂层、钽酸锂光电晶体前驱原料。

3. 纳米功能粉体合成

水解制备高纯氧化钽纳米粉、掺杂改性二氧化钛光催化材料、压电陶瓷粉体。

4. 有机合成与催化体系

钽系均相催化剂、特种金属有机中间体、高温陶瓷液相前驱体。

四、包装与储运

包装规格

实验室小样：10g/50g/100g 避光金属密封瓶

工业镀膜专用：1L/5L/20L 无水无氧钢瓶鼓泡源瓶

储存关键要求

1. 全程密封、避光、干燥低温仓储，严格隔绝空气、水汽，开封后尽快用完；

2. 远离火源、氧化剂，库房通风防爆；

3. 搬运佩戴耐溶剂手套、护目镜，避免皮肤直接接触。