硅化钛

基础技术参数

- 化学式:TiSi_2

- CAS号:12039-83-7

- 外观:灰黑色粉末

- 熔点:1540℃

- 密度:4.02 g/cm³

- 纯度:多种规格

- 粒径:微米级、超细粉末,可定制目数

- 特性:低电阻率、导电优异;高温抗氧化,表面形成二氧化硅自保护膜;化学稳定性良好,适配硅基半导体工艺

产品核心优势

电学性能优异:稳定C54晶相,接触电阻低,适合半导体低阻导电薄膜制备

粉体粒度可控:颗粒分布均匀,烧结活性好,适配热喷涂、真空烧结、靶材生产

杂质严格管控:严控铁、氧、重金属杂质,满足电子行业高端用料标准

供货灵活稳定:支持小样测试、长期批量供货,可提供COA质检报告单

主要应用领域

1. 半导体微电子行业

集成电路低阻接触材料、MOS器件栅极/源漏电极、扩散阻挡层,降低器件接触电阻;MEMS微纳器件导电薄膜原料。

2. 高温防护涂层

航空零部件耐高温抗氧化涂层、耐磨耐腐蚀金属表面防护层,高温工况长效防护。

3. 先进金属陶瓷

制备导电陶瓷、耐高温结构陶瓷,提升材料硬度、耐磨性与导电特性。

4. 靶材与薄膜原料

溅射靶材前驱粉体,沉积导电、耐磨、抗氧化功能薄膜。

5. 新材料科研领域

热电材料、催化材料、3D打印高温复合材料粉体,实验室研发原料。

包装与储存

包装:真空铝箔密封袋、防潮塑料桶封装;常规1kg、5kg、25kg规格,包装可定制。

储存:存放阴凉干燥库房,密封隔绝空气;远离强氧化剂,避免长期受潮。


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