一、基础理化参数

产品名称：二硅化铌（硅化铌）粉末

英文名称：Niobium Disilicide

CAS号：12034-80-9

分子式：NbSi₂

外观：黑灰色六方结晶超细粉末

熔点：1940–1950℃

密度：5.7 g/cm³

硬度：维氏硬度5.88~6.88GPa

纯度规格：高纯级

可选粒度：0.8–10μm常规微米粉、纳米活性粉、喷涂专用粗粉

核心特性：高温氧化生成致密SiO₂保护膜（自修复抗氧化）、导电稳定、耐酸碱腐蚀、抗热疲劳、与硅基底兼容性强、高温抗蠕变

二、核心产品优势

1. 高温抗氧化性能突出

高温环境表面自动生成致密二氧化硅保护层，隔绝氧气持续氧化，解决纯铌、铌合金高温易粉化失效痛点，热障涂层使用寿命大幅提升。

2. 半导体薄膜稳定性强

电阻率低且温漂小，高温退火不扩散、不发生相分离，作为硅基底接触层无界面应力，适配功率器件、射频芯片高温制程。

3. 粉体均匀无杂相，烧结致密度高

铌硅元素分布均匀，游离单质含量极低，适配SPS放电等离子烧结、等离子热喷涂、真空粉末冶金、金属3D打印；致密坯体可规避中温“粉化失效”问题。

4. 全流程惰性生产分装

合成、破碎、筛分、封装全程氮气保护，低氧高纯；科研小样10g起订，工业吨级批量现货。

5. 全套配套资料+钽铌全系原料

可提供COA质检单、XRD物相报告；配套金属铌粉、氮化铌、硼化铌、钽系硅化物粉体一站式供货。 

三、四大核心应用场景

1. 半导体微电子（高端主力用途）

- 功率器件、第三代半导体SiC/GaN高温欧姆接触电极、栅极互连薄膜；

- 晶圆铜/铝扩散阻挡层，抑制高温金属向硅基底渗透；

- MEMS高温传感器、射频芯片稳定电阻薄膜，400–800℃工况电学性能不漂移。

2. 航空航天高温防护涂层

铌合金、高温合金构件热障涂层原料，用于发动机叶片、飞行器隔热屏、喷管内衬；耐受超高温氧化、抗气流冲刷，延长高温部件服役寿命。

3. 粉末冶金与增材制造

高温耐磨陶瓷坯体、难熔金属复合结构件烧结粉料；球形硅化铌粉体用于金属3D打印，直接成型耐高温异形零件。

4. 核能、高温工业设备

核设备小型耐蚀耐高温配件、高温炉发热元件、耐腐蚀导电陶瓷、特种高温耐火材料。

四、包装与储存

包装规格：真空充氮铝箔袋+加厚纸板桶（10g/50g/1kg/5kg/25kg）

储存要求：阴凉干燥避光密封存放，隔绝空气水汽；超细活性粉末开封后建议一次性用完。